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Samsung Electronics anuncia la primera memoria DRAM LPDDR5 de 10 nm de 8 GB

Samsung LPDDR5 memoria RAM 8 GB

Por si no teníamos bastante memoria RAM, ahora Samsung ha presentado los nuevos módulos basados en LPDDR5 de 10 Nm y 8 GB. Esto supone una mejora sustancial respecto a los módulos de LPDDR4, ¿qué mejora?

Samsung comenzó la fabricación de la primer memoria RAM LDDR4 de 8 GB en 2014, y desde entonces ha estado trabajando en el cambio natural, el que se convertirá en el próximo estándar, el LDDR5.

La velocidad de datos es de hasta 6.400Mb/s, lo que supone una mejora de 1,5 veces más que las actuales. Para hacernos una idea, los actuales dispositivos de gama alta utilizan RAM LPDDR4X con una velocidad de transmisión de datos de 4.266Mb/s. Esto repercutirá en la nueva generación de smartphones que salgan al mercado, pensado en la gama alta.

Pero el gran avance no acaba aquí, sino que gracias a esta velocidad de la memoria LPDDR5 transferir 51 GB de datos. Esto equivale aproximadamente a 14 archivos de vídeo con calidad Full HD de 3,7 GB cada uno, transferencia en tan solo un segundo.

También se ha visto mejorada la eficiencia energética. Ahora la memoria RAM reduce el voltaje para adecuarse a la velocidad de operación, así se consigue mayor rendimiento y menor consumo. Asimismo la memoria LDDR5 ofrecerá un modo de reposo profundo, maximizando la vida de nuestro dispositivo. Gracias a todo esto se habla de un 30 por ciento de reducción del consumo de energía.

Samsung afirma que han finalizado las pruebas con este nuevo chip. La compañía comenzará la producción en masa de sus líneas de DRAM de próxima generación en su planta de Pyeongtaek, Corea. | Fuente: Samsung

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